我国水市场的构架及运作模式探讨

参照美国、澳大利亚、智利等国家成熟的水市场运作及其交易模式，根据我国水权制度的现状以及水市场发展的特点，构建了我国三级水市场的框架：一级水市场即水资源原料市场；二级水市场即水商品市场；三级水市场即消费市场。探讨了各级水市场的交易主体、客体和定价等运作模式以及水权交易模式，以期对我国水市场的构建和培育有所帮助。同时认为，我国水市场的建立应因地制宜、循序渐进，并应加强管理，确保水市场的有效运作。     

一种基于LS的天线阵方向图综合算法

采用一种基于最小二乘理论的算法对阵列天线进行方向图综合,仅对旁瓣峰值和主瓣电平进行处理,可以实现旁瓣和主瓣电平的同时控制,使天线阵方向图向期望方向变化.算法可以对等间距和不等间距天线阵进行综合,计算量也较小,所以具有很强的实用性,仿真结果验证了算法的有效性.     

臭氧-活性炭工艺去除饮用水中典型内分泌干扰物试验研究

通过对臭氧-活性炭工艺和活性炭吸附等温线的研究,探讨了臭氧-活性炭工艺去除饮用水中微量典型内分泌干扰物的可行性.壬基酚(NP)、辛基酚(OP)和双酚A(BPA)被选作目标物质.研究发现臭氧氧化能去除30%以上的NP、OP和BPA;活性炭对NP、OP和BPA也有良好的去除效果,在空床停留时间4～12 min条件下能完全去除水中未被臭氧氧化的NP、OP和BPA;吸附等温线的数据可以用Freundlich公式拟合,并用来估算活性炭的饱和时间.试验证明臭氧-活性炭工艺是去除饮用水中微量典型内分泌干扰物的有效方法.     

离子交换法制备金属纳米颗粒-玻璃复合材料的研究进展

如何制备出具有优良光学三阶非线性性能的金属纳米颗粒-玻璃复合材料已经成为目前研究的热点.着重介绍了离子交换法结合后续处理的方法制备金属纳米颗粒-玻璃复合材料的最新研究进展,并结合对文献资料的分析,指出了今后的研究方向和发展前景.     

扩展有限元法在线弹性断裂力学中的应用研究

采用改进的XFEM对有限板单边裂纹的应力强度因子和Ⅰ型裂纹的扩展进行分析，数值计算结果表明了该方法的有效性，从而避免了常规有限元方法中的网格重构，大大简化了裂纹扩展的分析过程。     

田陈矿选煤厂煤泥水系统技术改造

分析了田陈矿洗煤厂煤泥水系统现状及存在问题,针对煤泥水系统的问题提出了改造方案。     

生物燃油——生物质工程前沿与关键技术

阐述了我国部分地区发展生物燃油的意义和必然性、国内外生物燃油发展的现状和技术趋势,分析了生物燃油发展的限制因素和关键技术、生物燃油市场需求,讨论了生物燃油产业化前景以及对相关技术及其产业的带动作用.     

利用U矩阵对SOM网络的处理

自组织神经网络的最大优点是能够保持原始数据的拓扑结构。但是当数据量很大的时候，自组织神经网络的神经元的数据也随之增大。因此为了更好地对数据进行分析，需要将自组织神经网络中相似的神经元进行分组，也就是聚类。在对SOM网络进行再次分析之前，为了减少“噪音”数据和孤立点对聚类结构的影响，用U矩阵的变型方法对自组织神经网络分析的结果进行预处理。     

平面药包抛掷爆破的漏斗特征解析

根据惠州港通用码头陆域平面药包抛掷爆破的实爆堆积测量分析成果 ,结合药包设计的主要参数 ,对平面药包产生的爆破漏斗的范围与形态、不同药包部位的残方比与抛掷率、药包的长抗比与圆柱体药包的应力波形演变关系予以解析 ,供硐室爆破的理论研究、模拟试验和总结条形药包特性时参考     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.